我们需要集成辐射屏蔽层，用硼掺杂金刚石作为缓冲，BDD的Tc虽只有11K，但其宽带隙能阻挡宇宙射线。”
他们开始掺杂实验：在MBE腔内引入氧气束，压力控制在10^-6Torr，掺杂水平0.1-0.2原子%。
测试使用四探针法测量电阻-温度曲线：在氦气制冷机下，从300K降温，电阻在110K附近骤降到零，磁化率测试确认Meissner效应，临界电流密度Jc达10^5A/cm。
“教授，根据失败样品分析，STM显示氧团簇导致相分离。”吴工说。
林燃思考片刻后说道：“调整氧束能量可行吗？”
他们调整氧束能量从5eV到3eV来对均匀性进行优化调整。
第四个月，团队终于做出第二个样品：一个5cm见方的芯片，表面闪烁着金属光泽，集成BDD屏蔽层厚度2μm。
测试在液氮模拟下，电阻骤降到零，能够运行简单AI算法：芯片处理100x100矩阵乘法，效率比硅基高500%，且无热积累。
整个团队空前振奋，因为至少到了这里，这条路是可行的。
从路径的层面，这是能够超过硅基的材料。
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